KMT32B 磁性 AMR 角度传感器包含两个平行的惠斯通电桥,每个电桥可以测量 45 度。 平行于芯片(x-y 平面)的表面上的旋转磁场将因此提供两种独立的正弦曲线输出信号,一种按照 cos(2?) 函数计算,另一种按照 sin(2?) 函数计算,在传感器和磁场方向之间形成角度(参见图 2)。KMT32B 磁场传感器适合在常规磁场强度 H0 ≥ 25 kA/m 的情况下(例如,在室温下距离为 5.2 mm 时,来自 Magnetfabrik Bonn 的磁体 67.044 生成的磁场强度)高精确角度测量应用。如降低精度,KMT32B AMR 角度传感器可用于磁场强度 H0 ≥ 14 kA/m 的情况(室温下;了解地磁场产生的影响!)。大多数磁体的磁场强度随温度改变,但磁场方向不变。
特点
非接触式角度位移,非常适合在严苛环境下使用
设计优化的线性
高精度
低成本、低功耗
自我诊断
有吸引力的 SMD 封装
在信号估值范围内用户可控制
宽工作温度范围(-40~+150℃,160℃ 可定制)
RoHS 认证(无铅)
产品类型特性
产品类型? 磁性角度传感器
电气特征
典型工作电压?(V) 5
典型平均电流?(mA) 1.6
使用环境
传感范围?(°) 0 – 180
工组温度范围? -40 – 150?°C?[?-40 – 302?°F?]
操作/应用
信号输出? 无源模拟
典型信号振幅?(mV/V) 11
包装特性
封装? SO8, TDFN2.5x2.5
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角度传感器_KMT32B_A1.pdf
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